Auch Samsung setzt auf Silicon-on-Insulator-Technik
Rückenwind für SOI: Nach Globalfoundries will künftig auch Samsung 28-nm-Chips mit der FD-SOI-Technik von STMicroelectronics fertigen.
Die lange Zeit eher in Nischen erfolgreiche Silicon-on-Insulator-(SOI-)Technik erlebt ein kleines Comeback: Nach Globalfoundries plant auch Samsung, künftig Halbleiterschaltungen auf Fully-Depleted-(FD-)SOI-Wafern zu produzieren. Dazu hat die Samsungs Fertigungssparte eine Kooperation mit STMicroelectronics vereinbart; die FD-SOI-Wafer stammen von der Firma Soitec, die in Bernin bei Grenoble nahe beim französischen Halbleiter-Forschungszentrum CEA-Leti und der ST-Fab in Crolles angesiedelt ist.
2015 will Samsung die 28-nm-FD-SOI-Volumenfertigung qualifizieren. ST nutzt die Technik nach eigenen Angaben in Crolles. Globalfoundries wollte im Juli vorvorigen Jahres bereits erste Prototypen mit dem 28FDSOI-Prozess fertigen.
Samsung und ST sind gemeinsam mit Globalfoundries und IBM Mitglieder der International Semiconductor Development Alliance (ISDA). Die Common Platform Alliance wiederum besteht aus IBM, Globalfoundries und Samsung. Wer Chips für eines der gemeinsamen Fertigungsverfahren entwickelt, kann sich in gewissen Grenzen den Auftragnehmer aussuchen. Andererseits plant IBM, das eigene Chip-Fertigungswerk abzustoßen. (ciw)
