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Durch einige proprietäre Verbesserungen wie eine verminderte Signalspannung soll "R+ LPDDR3" bei Zugriffen deutlich weniger Energie schlucken als herkömmliches LPDDR3-SDRAM.

Das von hohen Verlusten [1] geplagte US-Unternehmen Rambus [2] machte jahrelang vor allem mit Patentstreitigkeiten [3] von sich reden, entwickelt aber weiterhin technische Verfahren für Hauptspeicher (DRAM) oder auch IP-Cores für I/O-Verfahren wie PCI Express – und LED-Leuchtmittel [4]. Nun kündigt Rambus eine technische Neuheit für DRAM an, die unter anderem mehrere schon bekannte Verfahren wie das zehn Jahre alte FlexPhase [5] nutzt: R+ [6]. Als erste Inkarnation solle es "R+ LPDDR3 [7] " geben.

Genaue technische Details veröffentlicht Rambus nicht, man kann aber Informationen anfordern. Einige Punkte werden etwas näher beleuchtet: Ein R+-tauglicher DRAM-Controller ist zum Einbau in SoCs gedacht. Er unterstützt auf Wunsch auch LPDDR2- und LPDDR3-SDRAM [8]. Im R+-Modus sollen bis zu 1,6 GHz DDR möglich sein, also 3,2 Gigatransfers pro Sekunde. Die Leistungsaufnahme der DRAM-Chips kann bei Zugriffen um bis zu 30 Prozent sinken, weil R+ mit niedrigeren Spannungspegeln arbeitet, nämlich mit 0,3 statt 1,2 Volt. (ciw [9])

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https://www.heise.de/-1793439

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[1] http://investor.rambus.com/releasedetail.cfm?ReleaseID=735681
[2] http://www.rambus.com/us/technology/solutions/enhanced-memory-interfaces/index.html
[3] https://www.heise.de/news/Rambus-vs-SK-Hynix-Beide-Kontrahenten-feiern-Erfolge-1715882.html
[4] https://www.heise.de/news/Rambus-kauft-Lichttechnik-Patente-1176644.html
[5] https://www.heise.de/news/Redwood-der-schnellste-parallele-Datenbus-von-Rambus-74785.html
[6] http://www.rambus.com/us/technology/solutions/enhanced-memory-interfaces/index.html
[7] http://www.rambus.com/us/technology/solutions/enhanced-memory-interfaces/lpddr3.html
[8] https://www.heise.de/news/Mobil-DRAM-LPDDR3-Spezifikation-und-4-Gigabit-Chips-1579014.html
[9] mailto:ciw@ct.de

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